Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 34-1: Power cycling test for power semiconductor module
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标准范围（官方英文摘要）
IEC 60749-34-1:2025 describes a test method that is used to determine the capability of power semiconductor modules to withstand thermal and mechanical stress resulting from cycling the power dissipation of the internal semiconductors and the internal connectors. It is based on IEC 60749-34, but is developed specifically for power semiconductor module products, including insulated-gate bipolar transistor (IGBT), metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET), diode and thyristor.
If there is a customer request for an individual use or an application specific guideline (for example ECPE Guideline AQG 324), details of the test method can be based on these requirements if they deviate from the content of this document.
This test caused wear-out and is considered destructive.
标准信息
- 标准号
- IEC 60749-34-1:2025
- 英文标题
- Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 34-1: Power cycling test for power semiconductor module
- 发布单位
- —
- 技术委员会
- TC 47
- 版本 / 版次
- 1.0
- 状态
- 现行
- 发布日期
- 2025
- ICS 分类
- 31.080.01 半导体分立器件综合
- 页数
- 56 页
- 官方定价
- CHF 200
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