Semiconductor devices - Stress migration test standard - Part 1: Copper stress migration test standard
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标准范围（官方英文摘要）
IEC？62880-1:2017(E) describes a constant temperature (isothermal) aging method for testing copper (Cu) metallization test structures on microelectronics wafers for susceptibility to stress-induced voiding (SIV). This method is to be conducted primarily at the wafer level of production during technology development, and the results are to be used for lifetime prediction and failure analysis. Under some conditions, the method can be applied to package-level testing. This method is not intended to check production lots for shipment, because of the long test time.
标准信息
- 标准号
- IEC 62880-1:2017
- 英文标题
- Semiconductor devices - Stress migration test standard - Part 1: Copper stress migration test standard
- 发布单位
- —
- 技术委员会
- TC 47
- 版本 / 版次
- 1.0
- 状态
- 现行
- 发布日期
- 2017
- ICS 分类
- 31.080.01 半导体分立器件综合
- 页数
- 24 页
- 官方定价
- CHF 150
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