Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 4: Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optical inspection and photoluminescence

现行发布 2022 版本 1.0 25 页语言 EN TC 47

文件核验信息（付费前可核对）

总页数

25 页

文件体积

14.1 MB

抽样 SHA-256

3428d6e3f781

版本

1.0

以上信息取自文献本身，用于确认文件真实存在且规模与预期一致。抽样指纹为文件头部 256 KB 的 SHA-256 前 12 位，可用于比对同一版本的不同来源。

标准范围（官方英文摘要）

IEC 63068-4:2022(E) provides a procedure for identifying and evaluating defects in as-grown 4H-SiC (Silicon Carbide) homoepitaxial wafer by systematically combining two test methods of optical inspection and photoluminescence (PL). Additionally, this document exemplifies optical inspection and PL images to enable the detection and categorization of defects in SiC homoepitaxial wafers.

标准信息

标准号: IEC 63068-4:2022
英文标题: Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 4: Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optical inspection and photoluminescence
发布单位: —
技术委员会: TC 47
版本 / 版次: 1.0
状态: 现行
发布日期: 2022
ICS 分类: 31.080.99 其他半导体分立器件
页数: 25 页
官方定价: CHF 150

同分类下的其他标准

IEC 60050-523:2018/AMD1:2019 IEC 60134:1961 IEC 60146-2:1999 IEC 60191-1:2018 IEC 60191-2T:1996 IEC 60191-2U:1997 IEC 60191-2V:1998 IEC 60191-2X:1999/COR1:2000 IEC 60191-3:1999 IEC 60191-5:1997 IEC 60191-6-12:2011 IEC 60191-6-13:2016

查看 ICS 31 全部标准 →

怎么获取 IEC 63068-4:2022 全文

这份标准属于 ISO/IEC 发布，全文 25 页，语言为 EN。如果你只需要核对条款、做合规对照或者写方案引用，直接在线支付 2 元即可获得 PDF 全文，支付成功后立即给出下载链接（24 小时内有效，之后凭购买记录也能随时重新下载，不再收费）。

如果你要长期、大量使用这类标准，包年会员更合适：39 元一年每天可下 10 份，69 元一年每天 50 份，999 元一年不限次数。会员下载过的标准可以随时免费重下，不占用每日次数。按单份均价 3 元估算，一年下 13 份以上就已经回本。

需要注意的是，标准正文的著作权归 ISO、IEC 及各国家成员体所有。本站提供的是文献检索与代传服务，建议在正式项目、投标或认证场景中同时通过官方渠道核验标准的最新版本，避免使用已废止版本造成合规风险。