Guidelines for measuring the threshold voltage (<em>V</em><sub>T</sub>) of SiC MOSFETs
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标准范围（官方英文摘要）
IEC 63505:2025 gives guidance on VT measurement methods and conditioning prior to VT testing in SiC power MOSFETs to reduce or eliminate the effect of the aforementioned hysteresis. The method is applicable for PBTI testing, NBTI and threshold voltage changes caused by switching events are excluded from the scope.
SiC MOSFETs have threshold voltage hysteresis caused by transient trap effects, which impacts the evaluation of the actual the VT shift caused by stress tests such as bias temperature instabilities (BTI).
标准信息
- 标准号
- IEC 63505:2025
- 英文标题
- Guidelines for measuring the threshold voltage (<em>V</em><sub>T</sub>) of SiC MOSFETs
- 发布单位
- —
- 技术委员会
- TC 47
- 版本 / 版次
- 1.0
- 状态
- 现行
- 发布日期
- 2025
- ICS 分类
- 31.080.30 三极管
- 页数
- 12 页
- 官方定价
- CHF 80
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